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多孔GaN的制备方法

960   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:57:10
本发明涉及一种多孔GaN材料的制备方法,该方法包括以下步骤:步骤S1、将K2S2O8溶解于去离子水或纯净水中,配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液;步骤S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH,配制pH值大于7的混合溶液;步骤S3、将GaN材料置于混合溶液中,用紫外光源照射GaN材料,获得多孔GaN材料。本发明利用极其廉价的光化学技术在GaN材料表面上产生纳米级孔洞,通过锁相放大器等微小电信号测试设备可以将GaN材料电阻率的微小变化检测出来,从而发展高灵敏度的气敏传感器。
声明:
“多孔GaN的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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