本发明涉及一种砷化镓晶片,所述晶片表面的硫含量低于2×10
15原子/cm
3,优选低于5×10
14原子/cm
3,所述晶片表面的硫含量通过本发明说明书实施例中第III部分定义的检测方法进行测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法,包括以下步骤:1)使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗;2)对晶片进行化学机械抛光;3)抛光后,使用氧化剂对晶片表面进行氧化;4)对晶片经过碱溶液处理,随后用去离子水清洗;5)对晶片经过SC‑1溶液处理,随后用去离子水清洗;6)干燥所得晶片;7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理;8)氮气或真空包装。
声明:
“砷化镓晶片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)