本申请公开了一种半导体的加工方法,包括以下步骤:(1)晶圆处理制程,先将晶圆适当清洗,再进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀,最后完成数层电路及元件加工与制作;(2)晶圆针测制程,用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性;(3)构装,将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的
芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接,封胶,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死;(4)测试制程,将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性,包括消耗功率、运行速度和耐压度,经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。
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