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重离子辐照影响β-Ga2O3 MOSFET器件电学性能的模拟方法

984   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:54:11
本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法,包括:将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照;检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态;对步骤S2中得到的实验数据进行总结,得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷;将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中,输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合,对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
声明:
“重离子辐照影响β-Ga2O3 MOSFET器件电学性能的模拟方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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