一种锑化镓晶片双面抛光方法,它包括以下步骤:晶片测厚分组;晶片初次清洗;粘片;背面抛光;卸片;粘片及正面抛光;晶片二次清洗;将经过双面抛光的晶片放在用清洗液和纯水配制成体积比1∶(3~10)的溶液中用超声波清洗,清洗温度为50~100℃,清洗时间为10~30分钟,而后用纯水冲洗;化学腐蚀:用CH3COOH、H2O、HF以体积比(10~30)∶(5~15)∶1的比例配制成腐蚀液;检验包装。采用本方法可批量加工锑化镓(100)双面抛光片,方法简单实用,可操作性强,抛光成品率达到90%。同时缓解了锑化镓晶片抛光后氧化的问题。通过该方法抛光所得锑化镓抛光晶片翘曲度不大于20μm,晶面平整度不大于4μm,表面粗糙度达到0.1~0.2μm,晶片总厚度变化不大于5μm,抛光片未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。
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