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半导体栅极版图及其修正方法、半导体结构形成方法

707   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:54:08
本发明提供一种半导体栅极版图及其修正方法、半导体结构形成方法,所述半导体栅极版图修正方法,包括:提供包括若干栅极图形的半导体栅极版图,所述半导体栅极版图包括第一区块和第二区块,所述第一区块对应于晶体管形成区,所述第二区块对应于二极管形成区;对第一区块进行检测,若在预定面积的区域内栅极图形总面积小于标准面积,则在所述预定面积的区域内、对应第一浅沟槽隔离区的位置添加第一伪栅极图形;对第二区块进行检测,若在预定面积的区域内栅极图形总面积小于标准面积,则在所述预定面积的区域内、对应极区的位置添加第二伪栅极图形。能够改善化学机械抛光的工艺可靠性和均匀度,保持二极管集成度,降低芯片成本。
声明:
“半导体栅极版图及其修正方法、半导体结构形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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