本发明提供一种新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法,包括:提供一基底,所述基底包括依次堆叠设置的金属互联层、第一阻挡层以及介电层,在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔,所述底部通孔与所述金属互联层相连;在所述基底表面依次沉积第二阻挡层和铜层,所述铜层充满所述底部通孔;以所述第二阻挡层作为抛光终点,对所述铜层进行化学机械抛光,并在检测到所述第二阻挡层后进行过抛光,以完全去除所述第二阻挡层之上的铜层;在抛光后的界面上沉积底电极金属层;图案化所述底电极金属层,得到MRAM底电极。本发明能够简化并彻底颠覆现有大马士革铜的化学机械抛光工艺,提高生产效率并降低工艺稳定性风险。
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