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Ti/Si共掺杂ta-C导电碳基薄膜及其制备方法和应用

1078   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:54:07
本发明属于薄膜材料技术领域，涉及碳基薄膜材料技术领域，具体涉及一种Ti/Si共掺杂ta‑C导电碳基薄膜及其制备方法和应用。本发明的Ti/Si共掺杂ta‑C导电薄膜由Ti过渡层、Ti梯度含量掺杂ta‑C过渡层和Ti/Si共掺杂的ta‑C层组成，薄膜中的Ti掺杂含量为12.4～32.6at.％，Si掺杂含量为3.0～8.5at.％。所述薄膜采用磁过滤电弧离子镀和磁控溅射复合沉积技术在金属基体上沉积制得。本发明的Ti/Si共掺杂ta‑C薄膜具有高sp3碳‑碳键含量、低残余内应力和高导电性，可应用于电化学有机污水处理薄膜电极、燃料电池金属双极板和电化学重金属离子检测薄膜电极等领域。
声明：
“Ti/Si共掺杂ta-C导电碳基薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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