本发明提供一种在泡沫镍表面生成粗糙CuS纳米片阵列的制备方法及其应用,该方法是先将泡沫镍进行预处理,再在泡沫镍表面生成铜单质层,然后采用水热法制备出在泡沫镍表面生成的粗糙CuS纳米片阵列,其设计路线具有产物纯度高、粒径分布均匀和绿色环保的特点;制备的材料具有交错的粗糙纳米片状结构,纳米片大小均匀且相互交错生长,片与片之间形成很好的空隙,有很好的阵列结构,有助于
电化学过程中离子的转移;同时粗糙的片状结构可以增大电极的比表面积,使电极材料与电解液之间有更大的接触面积,具有更多的电化学活性位,有利于进行氧化还原反应。直接作为超级电容器电极材料进行恒流充放电性能检测,具有良好的赝电容行为。
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“在泡沫镍表面生成粗糙CuS纳米片阵列的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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