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调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法

803   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:54:07
本发明公开了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法,涉及半导体压电光电子学技术领域。本发明通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片,通过电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质结薄膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再通过物理转移办法将InGaN/GaN异质结薄膜转移到柔性衬底PET上,最后通过搜集光致发光光谱的检测方法证明了通过手动3D位移平台对InGaN/GaN异质薄膜施加的应力确实改善了薄膜内部的极化。应用本发明,不仅解决了InGaN/GaN多量子阱中极化所导致的载流子复合效率降低的问题,还具有制造工艺简单且调制效果较好。
声明:
“调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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