本发明涉及一种双栅ISFET模型的仿真方法。步骤如下:1:获取待仿真双栅离子敏感场效应晶体管(ISFET)器件的结构参数;2:根据电解质的物理化学特性,利用TCAD工具重定义电解质的材料参数;3:构建网格化的双栅ISFET模型;4:设置掺杂、界面状态、接触类型等;5:获取I‑V特性和pH特性曲线,并对仿真结果进行分析;6:根据分析结果,选择不同的材料和尺寸再次进行模拟;7:对比不同结构参数的仿真结果,获取性能优良的双栅ISFET器件。本发明提供的仿真方法可优化器件的结构和材料参数,进一步提高双栅ISFET器件的pH灵敏度,从而节约器件的研发成本,为双栅ISFET器件的研制提供一定的指导。
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