本申请提供了一种MRAM器件中MTJ单元的平坦化方法与MRAM器件。该平坦化方法包括:步骤S1,在衬底的表面上设置预存储结构,预存储结构包括MTJ单元,MTJ单元的第一表面与衬底的距离为h1,MTJ单元的MTJ薄膜的远离衬底的表面与衬底的距离为h2;步骤S2,在MTJ单元的表面上设置第一介电层、抛光金属牺牲层和第二介电层,抛光金属牺牲层的第二表面与衬底的距离为h3,h2≤h3≤h1;步骤S3,对步骤S2形成的结构实施化学机械平坦化工艺,利用终点检测方法控制化学机械平坦化工艺,使得化学机械平坦化工艺去除第二表面所在平面上方的结构。该方法能准确地控制去除的终点,使得晶圆的均一性较好。
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