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金纳米井阵列电极及其制备方法

898   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:41:40
本发明涉及一种金纳米井阵列电极及其制备方法,其包括有金纳米管阵列主体、金纳米柱阵列底片、集电体,所述金纳米管阵列主体是在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的,金纳米管的壁厚为50‑200nm;金纳米柱阵列底片是在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的;金纳米柱阵列底片通过导电胶粘结固定在集电体上,金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上,周边用绝缘胶带密封固定在集电体上,得到金纳米井阵列电极。本发明组成结构简单、合理,连接可靠、稳定,具有三维结构,表面积大,能够实现检测体系的微型化和集成化,有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰。
声明:
“金纳米井阵列电极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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