本发明提供了一种提高低温陷阱数量的青色力致发光材料,属于材料损伤检测技术领域,其化学通式为Ba
(1‑X)Si
(2‑Y)O
2N
2:Eu
2+(X)Ga
3+(Y),其中,X的取值范围为:0.001≤X≤0.25,Y的取值范围为:0.0001≤Y≤0.1;其陷阱分布范围为‑270℃至400℃。本发明还提供了上述青色力致发光材料的制备方法和应用。本发明的青色力致发光材料存在‑270℃至400℃连续分布的陷阱能级,特别是‑270℃至‑70℃的陷阱能级,使用Eu
2+作为光吸收中心,吸收可见光后将能量存储于电子陷阱中,用于后续的检测应用,通过引入Ga
3+离子替代Si
4+,形成电荷不平衡取代,可以增加氧缺陷等,增加‑270℃至‑70℃的极浅能级数量,提高了低温下损伤检测的灵敏度,扩大了应力承受范围,更有利于低温下的损伤检测应用。
声明:
“提高低温陷阱数量的青色力致发光材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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