本发明涉及一种研磨方法及装置,该方法包括如下步骤:对晶圆介质进行介质化学机械研磨;检测介质化学机械研磨的研磨效果;根据所述研磨效果确定对所述晶圆介质进行钨化学机械研磨的研磨菜单。本发明根据介质化学机械研磨的研磨效果确定相适应的钨化学机械研磨的研磨菜单,对介质化学机械研磨进行辅助,很大的程度上保持并提高介质化学机械研磨的研磨效果,既解决化学汽相淀积淀积薄层区域分布不均匀,前值幅度大,边缘厚的问题,又保持和提高了晶圆介质的平坦度,从而大大提高了半导体产品的的性能和制造良率。
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