本发明公开了一种硅电极的再生加工方法,包括以下步骤:S1:外观检验;S2:尺寸测量;S3:双面LAPPING,在弱碱性环境下用双面研磨机对硅电极表面损伤进行去除再生;S4:煮沸清洗,将硅电极放入加热槽中煮沸,导入化学洗净剂,进行洗涤,然后在纯水槽中浸泡冲洗,并通入超声波去除硅电极表面杂质;S5:化学刻蚀,在酸液中对硅电极整体刻蚀,去除表面损伤缺陷;S6:抛光处理,在碱性抛光液条件下用抛光机对硅电极非装配表面进行抛光;S7:洗净处理,用酸液对硅电极进行清洗;S8:最终检测;S9:烘干包装。采用了双面研磨技术,能够有效去除硅表面的使用痕迹和损伤缺陷,并对表面离子沾污进行清洗,达到表面再生,可持续使用的目的。
声明:
“硅电极的再生加工方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)