本发明涉及ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法。现有技术中存在因ZnO与
石墨烯接触差而导致的传感器工作温度高、响应-恢复时间长的问题。本发明采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜;然后在还原石墨烯薄膜表面利用水溶液法原位生长单晶ZnO纳米墙;最后将构筑好的ZnO纳米墙/RGO异质结在Ar气氛下高温热处理,获得ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器。本发明的ZnO纳米墙/RGO异质结,ZnO?纳米墙原位生长在RGO薄膜上,实现了共价键或化学键强作用力连接,既可以发挥ZnO纳米墙在高灵敏度检测方面独特的优势,又可以利用石墨烯做为端电极提高电子传输速率。
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