本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法。该方法依次包括以下工序:硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验,其中,在拉晶过程中采用水平磁场,磁场强度为1000‑5000高斯,磁场形状为马鞍形,晶转为5‑15rpm,埚转为0.1‑3rpm,晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm;在倒角工序中,分别使用1000#倒角轮倒角2次,3000#倒角轮倒角2次,最终倒角幅长控制在500‑700μm;在POLY薄膜生长工序中,载具转速为0.5‑3rpm,LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃,LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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