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g-C3N4纳米片修饰的TiO2纳米管阵列及其制备方法

999   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:33:28
本发明涉及纳米材料和光电催化及光电化学检测技术领域，具体涉及一种g‑C3N4纳米片修饰的TiO2纳米管阵列，细小弥散的g‑C3N4纳米片均匀分布于TiO2纳米管阵列内部。本发明的g‑C3N4纳米片修饰TiO2纳米管阵列是通过在阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列表面气相沉积g‑C3N4纳米片获得。相比较其它方法制备的g‑C3N4/TiO2复合纳米管阵列，气相沉积的g‑C3N4纳米片尺寸更小，与TiO2纳米管之间接触充分、结合良好、不易脱落且分布均匀，既能够提高TiO2纳米管阵列在紫外光照射下的光电化学性能，又能拓宽其光谱响应范围，可有效应用于光电催化和光电化学检测技术领域。
声明：
“g-C3N4纳米片修饰的TiO2纳米管阵列及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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