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具有背景电流操纵的背侧受激传感器

835   编辑：管理员   来源：中冶有色网  
2023-03-19 07:33:28
本发明公开了一种用于感测从生物刺激、化学刺激、离子刺激、电刺激、机械刺激及磁性刺激中选择的至少一个的CMOS(互补金属氧化物半导体)像素。该CMOS像素包括:衬底,其包括背侧;源,其与该衬底耦接以产生背景电流;及检测元件,其经电耦接以测量该背景电流。该刺激(其将被提供至该背侧)影响该背景电流的可测量改变。
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“具有背景电流操纵的背侧受激传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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