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制作阻挡层的方法

786   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:33:26
本发明涉及一种形成钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层的方法,首先提供一半导体衬底,且半导体衬底上包括至少一导电层,接着进行一化学汽相沉积(CVD)工艺,于导电层上形成一Ti/TiN阻挡层,随后进行一检测程序。若检测出Ti/TiN阻挡层中包括微粒,则进行一重作工艺。
声明:
“制作阻挡层的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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