本发明公开了一种控制关键尺寸及其偏差的铝刻蚀工艺方法,在介电质抗反射层刻蚀步骤中引入终点检测法,即依靠光发射谱检测刻蚀过程中等离子体中的化学键信号变化,当检测到化学键信号变化时,结束介电质抗反射层刻蚀,然后进行过刻蚀。本发明可以有效控制刻蚀过程,关键尺寸,关键尺寸偏差及铝线剖面垂直度,适用于三明治结构SION/TIN/TI/ALCU/TI/TIN的铝膜图形的介电质抗反射层刻蚀。
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