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基于忆阻交叉阵列的Q学习系统

836   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:31:49
本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的Q学习系统,包括忆阻交叉阵列,其特征在于:所述系统还包括读写选择开关:控制忆阻交叉阵列的读写操作,状态选择开关:状态检测模块检测当前环境状态st,通过状态选择开关,选择相应的行线;列选择开关:当需要对Q值,也即对忆阻交叉阵列的某一个忆阻值进行更新时,列选择开关选择动作at所对应的列线。延迟单元:将选择的列线的电压延迟一个时间步长;状态检测模块:检测当前的环境状态,保存上一个环境状态,。本发明将新的电路元件—忆阻器成功应用到了强化学习中,解决了强化学习需要大量的存储空间问题,为以后强化学习的研究提供了一种新的思路。
声明:
“基于忆阻交叉阵列的Q学习系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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