本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法,包括:测试AlGaN/GaN‑HEMTs的
电化学性能,确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围;在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试;分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度,还能够确定缺陷的位置,且步骤简单,易于操作,对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
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“识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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