在光刻处理中,诸如半导体晶片的产品单元经历光刻图案化操作和化学和物理处理操作。在处理的执行过程中在各阶段形成对准数据或其它测量以获得对象数据,所述对象数据代表在跨每一个晶片空间分布的点处测量的位置偏差或其它参数。该对象数据被用于通过执行多变量分析以将代表在所述多维空间中的晶片的所述矢量组分解为一个或多个分量矢量而获得诊断信息。关于工业过程的诊断信息使用所述分量矢量被提取。对于后续产品单元的工业过程的性能可以基于所提取的诊断信息被控制。
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