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用于单侧晶片的离子提取的方法和装置

768   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:31:46
从硅片前表面提取无机离子污染物以供化学分析的方法和装置。该硅片放在一个容器内的支座上,使硅片水平放置并把硅片隔离以防止前表面上方空气流动,空气流动可以把污染带入提取液,从而引起在硅片上污染的错误测量。在硅片前表面上沉积一层提取液,并维持一段时间以使前表面的污染被提取到液层中。一部分液层用取样机构收集以供以后的分析。
声明:
“用于单侧晶片的离子提取的方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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