一种用于MRAM的磁性半金属材料的阻尼调控方法,采用分子束外延的生长方法在MgO衬底上生长变Al成分即偏化学计量比的Co
2FeAl
1+x单晶薄膜。x大于0.03,小于1。整个过程中,单晶薄膜的化学计量比是由元素Co、Fe、Al束源炉的温度控制蒸发量;且整个单晶薄膜生长过程由RHEED实时监控;偏化学计量比的定量分析来自于STEM的元素扩散的面积积分图;同时,还补充不同成分的Al元素,以确定最低阻尼的化学计量比。根据校准的结果,我们改变生长方法,使用偏化学计量比的生长方法,即补充Al的生长。最后使用Tr‑MOKE进行磁性动力学测量。发现补充10%的Al元素可以有效的降低Co
2FeAl的本征阻尼。
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