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调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法

1037   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:31:07
本发明公开了一种调整CMP(化学机械抛光)后晶圆膜厚均匀性的方法，调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法包括：提供一待抛光晶圆；对晶圆进行CMP制程；在晶圆上取多个测量点，多个测量点在晶圆上阵列排布；测量每个测量点处晶圆的膜厚值；在晶圆上以晶圆的圆心为原点建立坐标系，其中每个测量点在坐标系内的横坐标为X，纵坐标为Y；根据横纵坐标绘制统计图，每个测量点在统计图中的纵坐标为对应测量点的膜厚值，每个测量点在统计图中的横坐标为观察分析统计图中曲线轮廓，并调整对晶圆的各区的抛光压力。根据本发明实施例的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，具有便于控制抛光压力、晶圆表面厚度均匀性好等优点。
声明：
“调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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