本发明公开了一种调整CMP(化学机械抛光)后晶圆膜厚均匀性的方法,调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法包括:提供一待抛光晶圆;对晶圆进行CMP制程;在晶圆上取多个测量点,多个测量点在晶圆上阵列排布;测量每个测量点处晶圆的膜厚值;在晶圆上以晶圆的圆心为原点建立坐标系,其中每个测量点在坐标系内的横坐标为X,纵坐标为Y;根据横纵坐标绘制统计图,每个测量点在统计图中的纵坐标为对应测量点的膜厚值,每个测量点在统计图中的横坐标为观察分析统计图中曲线轮廓,并调整对晶圆的各区的抛光压力。根据本发明实施例的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法,具有便于控制抛光压力、晶圆表面厚度均匀性好等优点。
声明:
“调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)