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锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法

679   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:13
本发明涉及一种锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法,所得载体材料适于无标记电学检测技术的基因芯片。通过使用锑掺杂氧化锡溅射靶材,利用磁控溅射法在普通玻片上制备出锑掺杂氧化锡薄膜,然后对薄膜进行羟基化、氨基硅烷化、醛基化修饰,制得醛基修饰的基因芯片用锑掺杂氧化锡薄膜载体材料。采用本发明制备的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低等特性,可以实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析,非常适用于作为无标记电学检测技术的基因芯片载体材料。本发明还具有制备工艺简单易行,成本低廉,易于实现工业化生产的特点。
声明：
“锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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