一种制造半导体装置的方法,其具有一对准记号,该方法系包含形成一第一介电层,其中具有预先决定尺寸的一沟槽被蚀刻进入该介电层内并且沉积一第一金属层进入该沟槽内;形成一第二介电层在第一介电层之上方且在第一金属层之上方;同时蚀刻多数线与一开口进入第二介电层内,至少一线被用来当作延伸至第一金属层的一通孔;填充该等线与开口,控制该填充步骤以填满该线与未填满开口;进行电镀金属的化学机械研磨;以及沉积一非透明堆栈层在该金属上藉以使该非透明堆栈层符合未填满的开口表面,产生在非透明堆栈层上的对准记号以对准后续的层。
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