本发明提供包括不含铅的强介电材料的压电体薄膜,即,表现出与锆钛酸铅(PZT)同等水平的高压电性能的压电体薄膜及其制造方法,本发明的压电体薄膜具备有(001)取向的LaNiO3膜、由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层、有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,顺序叠层所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。
声明:
“压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用了压电发电元件的发电方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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