本发明公开了一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法,具体步骤如下:1)淀积氮化硅扩散掩膜,2)开扩散窗口,3)闭管扩散,4)生长P电极,5)快速热退火,6)开N槽,7)淀积氮化硅钝化膜,8)开P、N电极孔,9)生长加厚电极,10)金属化,11)生长铟柱。本发明的优点在于:1、制备工艺更简单,首先生长P区电极的工艺方法,降低光刻偏差和过刻蚀可能导致的P区电极与N区InP材料之间的导通风险;2、引入感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)技术生长低温氮化硅钝化膜,
芯片的表面钝化层结构致密,降低工艺过程对材料表面造成的损伤,改善表面钝化效果;3、金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长技术,降低器件的接触电阻。
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