本申请公开了一种自PN结半导体
纳米材料作为红外光电探测器的应用,其特征在于,所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种;MO·xMQ2O4 式I;其中,所述M选自二价过渡金属元素中的任一种;所述Q选自VIII族元素中的任一种;所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比,所述x的取值范围为1~2.5;所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述自PN结半导体纳米材料解决了现有技术中MO禁带宽度大,光电转化效率不高且只对紫外光有较强的吸收等问题,具有良好的作为近红外光电探测器应用前景。
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“自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)