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SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器件及其制备方法

837   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:08
本发明提供了一种SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件,包括H‑TiO2纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO2纳米管阵列层上的SnSe2纳米层。还提供了上述SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件制备方法,包括以下步骤:(1)采用阳极氧化法制备不定型TiOx纳米管阵列;(2)将不定型TiOx纳米管阵列进行退火处理,得到TiO2纳米管阵列;(3)以硒粉与SnCl4·5H2O为原料,用化学气相沉积方法,在TiO2纳米管阵列表面沉积SnSe2纳米层,沉积SnSe2纳米层时同时通入氢气,将TiO2氢化为H‑TiO2,即得到SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制备的SnSe2/H‑TiO2异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围,且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。
声明:
“SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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