本发明公开了一种可以降低InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的表面钝化方法,其步骤如下:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长GaAs缓冲层;步骤3:在GaAs缓冲层上生长p型GaSb缓冲层;步骤4:在GaSb缓冲层上生长p型InAs/GaSb超晶格层、InAs/GaSb超晶格吸收层、n型InAs/GaSb超晶格层、InAs盖层;步骤5:采用标准光刻工艺技术及感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀露出p型InAs/GaSb超晶格层;步骤6:在p型InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层上利用磁控溅射技术沉积合金电极Ti/Pt/Au,并用丙酮溶液进行金属剥离、清洗;步骤7:在剥离、清洗后的基片上,利用感应耦合等离子体化学气相沉技术在75℃下生长SiO2高质量绝缘层薄膜,然后刻蚀露出电极,最后封装、测试。本方法可以减小器件暗电流,提高器件性能。
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