本发明公开了一种NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法,光电探测器由栅体互连NMOS晶体管和光电二极管复合而成;在P型半导体衬底上,由N型杂质注入形成N阱,在N阱内通过P型杂质注入形成T阱;在T阱中通过掺杂或离子注入形成NMOS晶体管,将NMOS晶体管的栅体互连。包括:在热生长的二氧化硅栅氧层上用化学气相淀积法淀积
多晶硅,干法刻蚀出多晶硅栅图形;离子注入分别制作出NMOS晶体管的源、漏、P型衬底和N阱、T阱接触区;光刻出NMOS晶体管源极、漏极、栅极,及P型衬底和N阱、T阱接触区的引线孔,淀积一层金属膜,光刻出晶体管和接触区的电极图形;利用光刻、刻蚀及金属化工艺制备其它高层互连金属,用于将光电流引出至接触焊盘。
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