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NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法

1102   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:08
本发明公开了一种NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法,光电探测器由栅体互连NMOS晶体管和光电二极管复合而成;在P型半导体衬底上,由N型杂质注入形成N阱,在N阱内通过P型杂质注入形成T阱;在T阱中通过掺杂或离子注入形成NMOS晶体管,将NMOS晶体管的栅体互连。包括:在热生长的二氧化硅栅氧层上用化学气相淀积法淀积多晶硅,干法刻蚀出多晶硅栅图形;离子注入分别制作出NMOS晶体管的源、漏、P型衬底和N阱、T阱接触区;光刻出NMOS晶体管源极、漏极、栅极,及P型衬底和N阱、T阱接触区的引线孔,淀积一层金属膜,光刻出晶体管和接触区的电极图形;利用光刻、刻蚀及金属化工艺制备其它高层互连金属,用于将光电流引出至接触焊盘。
声明:
“NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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