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二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列

1019   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:49
本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括上沟槽电极和下沟槽电极，上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面；上沟槽电极内嵌有上中央电极，上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体；下沟槽电极内嵌有下中央电极，下沟槽电极和下中央电极间填充有下半导体基体；上沟槽电极和下沟槽电极的外宽均为2RX，下沟槽电极位于上沟槽电极下方，两者垂直相距d3，且两者水平方向四分之一部位重叠，上中央电极和下中央电极规格相同。通过吸杂氧化在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
声明：
“二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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化学分析
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