本发明属于探测器
芯片制造技术领域,具体为一种低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法,所述方法包括在外延片的顶层沉积掩膜,通过光刻工艺开出台面刻蚀窗口;采用湿法刻蚀将外延片刻蚀成外延台面,进行表面化学清洗,去除湿法刻蚀反应残留产物等;采用硫化工艺处理,钝化外延台面的侧壁表面,降低其表面态;使用六甲基二硅胺处理侧壁表面,再涂覆苯并环丁烯,形成保护层;在氮气气氛保护下,采用分布升温固化;刻蚀部分保护层,使台面的顶部裸露,根据蒸发或溅射方式在接触层上表面淀积金属膜,经剥离后形成P型电极;将背面减薄,在背面沉积增透膜;采用带胶剥离制作N电极。本发明解决台面型器件由于湿法刻蚀造成的侧壁表面钝化困难问题。
声明:
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