本发明涉及光电探测领域,具体涉及一种日盲二维位置敏感探测器,包括电极组、氧化镓层、多晶金刚石衬底和背电极;所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极以及背电极均为金电极;所述背电极位于多晶金刚石衬底之下;所述的氧化镓层位于多晶金刚石衬底之上;所述电极组位于氧化镓层之上;本发明使用化学稳定性好、抗干扰能力强、高性能、高抗辐射能力、探测精确度高、光电转换能力强的宽禁带
半导体材料氧化镓和金刚石制备日盲二维位置敏感探测器,从而可以实现对日盲光位置的直接探测与定位。
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