一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的
光伏型红外探测器,属于红外探测技术领域。该探测器由下至上依次由背电极、重掺杂的N+型InP衬底、重掺杂的N+型InP电子传输层、未掺杂的窄禁带InSb有源区、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层以及栅条形上电极)组成。本发明采用低压金属有机物化学气相外延技术,在重掺杂的N+型InP衬底制备相应结构,并利用磁控溅射技术制备上电极和背电极,得到的器件具有探测率高、响应速度快、工作温度高、制备工艺简单等特点,在室温条件下,归一化探测率D*为2.4×1010cm Hz1/2W‑1,可应用于航天、军事、工业、民用等领域。
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“基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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