本发明涉及半导体紫外光电探测器的技术领域,更具体地,涉及一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法。一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器,其中,包括衬底,利用金属有机化学气相沉积外延外生长法(或分子束外延生长法),依次在衬底上生长的非故意掺杂低温AlN缓冲层,非故意掺杂高温AlN缓冲层,非故意掺杂Al
mGa
1‑mN窗口层,n型Al
mGa
1‑mN层,n型Al
nGa
1‑nN组分缓变层,非故意掺杂Al
aGa
1‑aN吸收倍增层,非故意掺杂Al
bGa
1‑bN吸收倍增层,非故意掺杂Al
cGa
1‑cN吸收倍增层,Mg掺杂p型Al
xGa
1‑xN层,非故意掺杂Al
xGa
1‑xN层,n型Al
yGa
1‑yN组分缓变层和n型Al
zGa
1‑zN层,以及最后利用器件工艺沉积得到的n型欧姆接触电极。
声明:
“AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)