本发明提出了本发明提出一种g‑CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法,g‑CN/Si异质结位置敏感探测器包括硅衬底和硅衬底的上沉积的g‑CN薄膜,以及g‑CN薄膜上设置有四个电极;所属制备方法包括:(1)采用化学气相沉积在Si衬底上制备g‑CN薄膜;(2)在g‑CN薄膜上通过热蒸发技术蒸镀金属层,采用紫外光刻技术去除金属层多余的金属,得到电极结构。本发明的位置敏感探测器显示出极高的位置灵敏度,可以实现对光斑位置的实时追踪测试。
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