合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法

分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法

947   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:47
本发明涉及一种太赫兹探测器件制备技术领域的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法,包括如下步骤:将背封高导硅衬底放入化学气相沉积的反应炉腔中;在高导硅衬底正面生长重掺杂吸收层;将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从炉腔中取出,去除底板边缘区域沉积的掺杂多晶硅及炉腔残留的杂质;将硅片重新放回炉腔,去除硅片表面的氧化层后清洁炉腔;在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层;将本征阻挡层生长完毕的硅片从炉腔中取出,对硅片进行微纳加工及器件封装。本发明中吸收层与阻挡层分炉进行外延生长,有利于提高阻挡层的表面电阻率及减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度,从而有效降低器件暗电流及延伸探测波长。
声明:
“分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第一届矿产品采样与制样技术研讨会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记