本发明公开了一种KNb3O8纳米带、制备方法及其深紫外光电探测应用。采用化学气相沉积法,以研磨均匀混合的Nb2O5和KCl粉末为前驱体,云母为衬底,实现了高结晶质量KNb3O8纳米带的可控生长,其带隙达到4.15eV。采用微纳加工技术制备的KNb3O8纳米带深紫外探测器包括Si/SiO2衬底、单根KNb3O8纳米带及金属电极。器件具有良好的光电响应性能和显著的偏振依赖特性,对254nm的深紫外光展现了30A/W的高响应度,及大的开关比(106)和各向异性光电流比(1.62)。所述方法解决了高结晶质量、超宽带隙KNb3O8纳米带的制备问题,实现了偏振敏感深紫外光电探测器的构筑。
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