本发明公开了一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法,该探测器包括吸收区、阻挡区、源漏区、介电区和栅区六个部分,制备方法包括五个步骤,即通过光刻、离子注入、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、热蒸发技术在高阻GaAs基底依次形成吸收区,源漏区(与阻挡区),介电区,源漏电极,以及栅区。本发明的优点是:栅区电压导致吸收区载流子耗尽有效降低了光生电子‑空穴对的复合速率,提高了内量子效率,从而提高了传统杂质光电导型光子探测器的探测率,并且与当前的半导体工艺技术相兼容。
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