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用于测试ISFET阵列的方法和装置

1064   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:47
本发明提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试,无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中,本发明执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻,本发明执行第二试验,以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果,然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中,使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流,以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。
声明:
“用于测试ISFET阵列的方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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