NixMg1-xO短波长紫外光探测材料属于
半导体材料技术领域。现有GaxAl1-xN材料存在的 不足有,首先,制作薄膜所使用的蓝宝石衬底昂贵;其次,需要使用化学气相沉积等大型、 复杂设备生长,生长温度也较高,造成了能源的浪费;第三,禁带宽度调节范围较小,即 3.4~6.2eV;第四,GaN和AlN晶格失配和离子半径失配较大,分别为1.8%和15%。本发明 之短波长紫外光探测材料的分子式为NixMg1-xO,0≤X≤1。以石英玻璃为衬底在磁控溅射设备 中制作NixMg1-xO短波长紫外光探测薄膜,所制备的薄膜晶格失配和离子半径失配很小,分 别为0.7%和5.7%,禁带宽度为3.6~7.8eV。用来制作短波长紫外光探测器件。
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