本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵 微台面的制备方法,该方法先用 Ar+离子干法刻蚀掉P型InP层, 再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层,这样既可提高光敏面的 图形保真度,又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化 处理,去掉表面氧化层,覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。 ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作 用,可以增加探测器的量子效率和减小暗电流,较厚聚酰亚胺 层起到钝化加固和抗辐射作用,提高器件的长时间稳定性和可 靠性。该工艺适用于均匀性要求高的大线列或面阵台面InGaAs 焦平面探测器的研制。
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