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基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法

913   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:46
本申请涉及光电探测领域,具体而言,涉及一种基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法。基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器包括电解质槽、参比电极、工作电极、对电极,参比电极、工作电极、对电极的固定端均通过卡孔固定在电解质槽的盖子上,自由端均悬于电解质槽内,且不与电解质槽的底部接触,工作电极包括导电基底、MoS2层、SnS2层,MoS2层与导电基底接触,SnS2层设置于MoS2层远离导电基底的一侧,即工作电极的工作物质为SnS2/MoS2异质结。SnS2/MoS2异质结的制备步骤如下:S1,使用化学气相沉积法在导电基底上制备MoS2纳米片;S2,以步骤S1得到的生长有MoS2纳米片的导电基底为沉积基底生长的SnS2纳米片。
声明:
“基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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