本发明提供一种低温
多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法,所述低温多晶硅薄膜晶体管探测器利用低温多晶硅薄膜晶体管工艺制作。先利用化学气相沉淀,在玻璃基板上沉积非晶硅薄膜层,利用准分子激光煺火的方法将非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜,并制作多晶硅薄膜晶体管。在制作探测器时同时将一些驱动电路集成在玻璃基板上,从而获得高集成度,降低探测器的成本,同时获得更好的性能。
声明:
“低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)